nVidia
графический ускоритель на базе архитектуры Turing , 320 тензорных ядер, 2560 ядер CUDA, 16ГБ GDDR6, PCI-E 3.0 x16, TDP 70Вт, пассивное охлаждение
TJSЦена по запросу
PNY
ускоритель GPU A100, 6912 ядер CUDA, 40ГБ памяти HBM2 с шиной 5120-bit, интерфейс: PCIEx16 4.0, пассивное охлаждение, пиковая производительность для FP64: 9.7 Терафлопс, пиковая пр-ть тензорных ядер:...
TJSЦена по запросу
PNY
ускоритель вычислений, универсальных потоковых процессоров: 8192, объем памяти GDDR6: 24ГБ, интерфейс: PCI-E 4.0 x16, пассивное охлаждение, разъем доп. питания 8-pin, спецификации и особенности см. ни...
TJSЦена по запросу
PNY
ускоритель вычислений, универсальных потоковых процессоров: 3804, объем памяти HBM2: 24ГБ, интерфейс: PCI-E 4.0 x16, пассивное охлаждение, разъем доп. питания 8-pin, спецификации и особенности см. ниж...
TJSЦена по запросу
PNY
память: 12288 Мб, GDDR5, частота: 745 МГц, 384 бит, 2880 ядер, GK110B, PCI-E 3.0 x16, 235 Вт
TJSЦена по запросу
PNY
графический ускоритель на базе архитектуры Turing , 320 тензорных ядер, 2560 ядер CUDA, 16ГБ GDDR6, PCI-E 3.0 x16, TDP 70Вт
TJSЦена по запросу
Hynix
32 Гб, DDR4 DIMM, 19200 Мб/с, CL17, ECC, буферизованная
TJSЦена по запросу
Samsung
8 Гб, DDR4 DIMM, 25600 Мб/с, CL22, ECC
TJSЦена по запросу
Samsung
8 Гб, DDR4 DIMM, 25600 Мб/с, CL22, ECC, буферизованная
TJSЦена по запросу
Kingston
16 Гб, DDR4 DIMM, 25600 Мб/с, CL22, ECC
TJSЦена по запросу
Samsung
16 Гб, DDR4 DIMM, 25600 Мб/с, CL22
TJSЦена по запросу
Micron
64 Гб, DDR4 DIMM, 23400 Мб/с, CL21, ECC, буферизованная
TJSЦена по запросу
Hynix
4 Гб, DDR3 DIMM, 10600 Мб/с, CL9, ECC, буферизованная
TJSЦена по запросу
Hynix
4 Гб, DDR3 DIMM, 12800 Мб/с, CL11, ECC, буферизованная
TJSЦена по запросу
Kingston
16 Гб, DDR4 DIMM, 21300 Мб/с, CL19, ECC, буферизованная
TJSЦена по запросу
Kingston
16 Гб, DDR4 DIMM, 21333 Мб/с, CL19, ECC, буферизованная
TJSЦена по запросу
ADATA
16 Гб, DDR4 DIMM, 25600 Мб/с, CL22, ECC, буферизованная
TJSЦена по запросу
Kingston
16 Гб, DDR4 DIMM, 25600 Мб/с, CL22, ECC