Exegate
патч-корд UTP, категория 5e, разъёмы RJ-45 - RJ-45, многожильный, 4 пары, оболочка PVC, 2 м
87 смн.
21.62%
Exegate
патч-корд UTP, категория 5e, разъёмы RJ-45 - RJ-45, многожильный, 4 пары, оболочка PVC, 2 м
86 смн.
23.89%
Exegate
патч-корд UTP, категория 5e, разъёмы RJ-45 - RJ-45, многожильный, 4 пары, оболочка PVC, 7.5 м
107 смн.
18.32%
GELID
термопрокладка, 120x20 мм, толщина: 0.5 мм, плотность: 3.2 г/см3
189 смн.
10.85%
Exegate
удлинитель, 5 розеток, макс. нагрузка 2200 Вт, макс. ток 10 А, выключатель на корпусе, заземление, длина кабеля: 3 м, чёрный
189 смн.
11.68%
Buro
сетевой фильтр, 8 розеток, макс. нагрузка 2200 Вт, макс. ток 10 А, заземление, выключатель на корпусе, длина кабеля: 5 м, белый
233 смн.
9.34%
Samsung
внутренний SSD, M.2, 2000 Гб, PCI-E 4.0 x4, NVMe, чтение: 7000 МБ/сек, запись: 5000 МБ/сек, TLC
2 921 смн.
4.6%
Gembird
патч-корд UTP, категория 5e, разъёмы RJ-45 - RJ-45, многожильный, 4 пары, оболочка PVC, 2 м
89 смн.
25.21%
Gembird
патч-корд UTP, категория 5e, разъёмы RJ-45 - RJ-45, многожильный, 4 пары, оболочка PVC, 0.5 м
84 смн.
20.75%
Gembird
патч-корд UTP, категория 5e, разъёмы RJ-45 - RJ-45, многожильный, 4 пары, оболочка PVC, 3 м
90 смн.
21.74%
Intel
LGA 1700, 12-ядерный, 3600 МГц, Turbo: 5000 МГц, Alder Lake, Кэш L2 - 12 Мб, L3 - 25 Мб, 10 нм, 190 Вт
3 714 смн.
29.1%
Intel
LGA 1700, 12-ядерный, 2100 МГц, Turbo: 4800 МГц, Alder Lake, Кэш L2 - 12 Мб, L3 - 25 Мб, 10 нм, 180 Вт
3 847 смн.
22.63%
Intel
LGA 1700, 12-ядерный, 3600 МГц, Turbo: 4900 МГц, Alder Lake, Кэш L2 - 12 Мб, L3 - 25 Мб, Intel UHD Graphics 770, 10 нм, 190 Вт
4 204 смн.
22.81%
Intel
LGA 1200, 6-ядерный, 2600 МГц, Turbo: 4400 МГц, Rocket Lake-S, Кэш L2 - 1 Мб, L3 - 12 Мб, 14 нм, 65 Вт
1 619 смн.
25.15%
Buro
батарейка AAA, 2 шт., тип батареи: щёлочная (алкалиновая), напряжение: 1.5 В
147 смн.
0.68%
Intel
LGA 1700, 4-ядерный, 3300 МГц, Turbo: 4300 МГц, Alder Lake, Кэш L2 - 5 Мб, L3 - 12 Мб, 10 нм, 89 Вт
1 080 смн.
30.28%
AMD
AM4, 6-ядерный, 3900 МГц, Turbo: 4400 МГц, Cezanne, Кэш L2 - 3 Мб, L3 - 16 Мб, Radeon Vega 7, 7 нм, 65 Вт
2 052 смн.
1.72%